By this author

Silicon surface modification with low-energy broad ion beam

Issue number 5 from 15.09.2025

Исследована возможность модификации физико-химических свойств поверхности монокристаллического кремния с ориентацией (100) при помощи ионно-лучевого травления (ИЛТ) широким пучком Ar⁺ с низкой (до 1000 эВ) энергией. Показано, что модификация поверхности кремния при помощи ИЛТ приводит к появлению времени задержки вакуумно-плазменного травления (ВПТ) в смеси SF₆/O₂/Ar. Установлено, что на величину времени задержки ВПТ кремния влияют параметры предварительного ИЛТ, такие как энергия ионов и угол их падения относительно поверхности кремния. Наибольшее время задержки ВПТ кремния было достигнуто при снижении энергии ионного пучка до 400 эВ и увеличении угла его падения до 88°. Продемонстрировано, что комбинация методов ИЛТ и ВПТ может применяться для формирования кремниевых структур.

2 0