- Код статьи
- S0207401X25050028-1
- DOI
- 10.31857/S0207401X25050028
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 44 / Номер выпуска 5
- Страницы
- 15-22
- Аннотация
- Исследована возможность модификации физико-химических свойств поверхности монокристаллического кремния с ориентацией (100) при помощи ионно-лучевого травления (ИЛТ) широким пучком Ar⁺ с низкой (до 1000 эВ) энергией. Показано, что модификация поверхности кремния при помощи ИЛТ приводит к появлению времени задержки вакуумно-плазменного травления (ВПТ) в смеси SF₆/O₂/Ar. Установлено, что на величину времени задержки ВПТ кремния влияют параметры предварительного ИЛТ, такие как энергия ионов и угол их падения относительно поверхности кремния. Наибольшее время задержки ВПТ кремния было достигнуто при снижении энергии ионного пучка до 400 эВ и увеличении угла его падения до 88°. Продемонстрировано, что комбинация методов ИЛТ и ВПТ может применяться для формирования кремниевых структур.
- Ключевые слова
- ионно-лучевое травление вакуумно-плазменное травление кремниевые структуры
- Дата публикации
- 14.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 2
Библиография
- 1. Cao T., Hu T., Zhao Y. // Micromachines. 2020. V. 11. P. 694. https://doi.org/10.3390/mi11070694
- 2. Hossain N., Al Mahmud Md Z., Hossain A. et al. // Results Eng. 2024. V. 22. P. 102115. https://doi.org/10.1016/j.rineng.2024.102115
- 3. Tozihi M., Zarringari S.S. // Russ. J. Phys. Chem. B. 2023. V. 17. № 5. P. 1034. https://doi.org/10.1134/S1990793123050123
- 4. Лукин Л.В. // Хим. физика. 2023. T. 42. № 12. С. 54. https://doi.org/10.31857/S0207401X23120075
- 5. Martirosyan V., Despiau-Pujo E., Dubois J. et al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2018. V. 36. P. 041301. https://doi.org/10.1116/1.5025152
- 6. Балдин Е.Д., Воробьева Г.А., Колбанев И.В. и др. // Хим. физика. 2024. Т. 43. № 5. С. 84. https://doi.org/10.31857/S0207401X24010108
- 7. Кочетов Н.А., Ковалев И.Д. // Хим. физика. 2024. Т. 43. № 3. С. 76. https://doi.org/10.31857/S0207401X24030086
- 8. Shandyba N., Balakirev S., Sharov V. et al. // Int. J. Mol. Sci. 2023. V. 24. P. 224. https://doi.org/10.3390/ijms24010224
- 9. Qian H.X., Zhou W., Miao J. et al. // J. Micromech. Microeng. 2008. V. 18. P. 035003. https://doi.org/10.1088/0960-1317/18/3/035003
- 10. Henry M.D., Shearn M.J., Chhim B., Scherer A. // Nanotechnology. 2010. V. 21. P. 245303. https://doi.org/10.1088/0957-4484/21/24/245303
- 11. Fischer A.C., Belova L.M., Rikers Y.G.M. et al. // Adv. Funct. Mater. 2012. V. 22. P. 4004. https://doi.org/10.1002/adfm.201200845
- 12. Brugger J., Beljakovic G., Despont M. et al. // Microeletron. Eng. 1997. V. 35. P. 401. https://doi.org/10.1016/s0167-9317 (96)00210-9
- 13. Sievila P., Chekurov N., Tittonen I. // Nanotechnology. 2010. V. 21. P. 145301. https://doi.org/10.1088/0957-4484/21/14/145301
- 14. Robins A.C., Cerchiara R.R., Fischione P.E. et al. // J. Phys. Conf. Ser. 2013. V. 471. P. 012046. https://doi.org/10.1088/1742-6596/471/1/012046
- 15. Harper J.M.E., Cuomo J.J., Kaufman H.R. // Ann. Rev. Mater. Sci. 1983.V. 13. P. 413. https://doi.org/10.1146/annurev.ms.13.080183.002213
- 16. Lee R.E. VLSI electronics: microstructure science. V. 8. Academic Press, Inc., 1984. https://doi.org/10.1016/b978-0-12-234108-3.50016-9
- 17. Sawyer W.D., Weber J., Nabert G. et al. // J. Appl. Phys. 1990. V. 68. P. 6179. https://doi.org/10.1063/1.346908
- 18. Chason E., Picraux S.T., Poate J.M. et al. // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. P. 6513. https://doi.org/10.1063/1.365193
- 19. Howitt D.G. // J. Electron Microsc. Tech. 1984. V. 1. P. 405. https://doi.org/10.1002/jemt.1060010409
- 20. Helmer B.A., Graves D.B. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1998. V. 16. P. 3502. https://doi.org/10.1116/1.580993
- 21. Валов А.Ф., Аветисов В.А. // Хим. физика. 2022. Т. 41. № 5. С. 17. https://doi.org/10.31857/S0207401X22050107
- 22. Buttari D., Chini A., Palacios T. et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. P. 4779. https://doi.org/10.1063/1.1632035
- 23. Mikhailenko M.S., Pestov A.E., Chkhalo N.I. et al. // Appl. Optics. 2022. V. 61. № 10. P. 2825. https://doi.org/10.1364/AO.455096
- 24. Takenaka H., Oishi Y., Ueda D. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1994. V. 12. P. 3107. https://doi.org/10.1116/1.587486
- 25. Wu H., Cargo J. // Proc. 28th Int. Symp. Testing and Failure Analysis. Ohio, USA: ASM Int. 2002. P. 675. https://doi.org/10.31399/asm.cp.istfa2002p0675
- 26. Ross R. J. Microelectronics Failure Analysis, Desk Reference. Sixth Edition. Ohio, USA. ASM Int., 2011.
